MDT10F73 1. 概述 本IC是8位元FLASH单晶片,采用完全静态CMOS技术设计,集高速、体积小、省电和高抗干扰性一体的晶片,记忆体包括4K*14程式ROM和192*8静态RAM,及256*8的EEPROM。 2. 特点 以下是关於软硬体方面的一些特性: ◆8位元设计单晶片,完全CMOS静态设计 ◆程式ROM大小:4K,14位指令长度 ◆内部RAM大小:192 BYTE ◆内部EEPROM大小:256*8 BIT ◆37种精简指令 ◆8层堆叠 ◆工作电压:2.5 V ~ 5.5 V (PED选LOW位准) 4.5 V ~ 5.5 V (PED选HIGH位准) ◆工作频率:DC ~ 20 MHz ◆较短指令时间:200ns。(20MHz单周期指令) ◆寻址方式包括直接、间接和相对寻址方式 ◆上电复位(POR) ◆电源边缘检测(PED)三位准,低,中,高 ◆睡眠低功耗功能 ◆4种可选振荡器类型: -RC-低价RC振荡器 -LFXT-低频晶体振荡器 -XTAL-标准晶体振荡器 -HFXT-高频晶体振荡器 ◆TMR0:8位时钟/计数器 ◆TMR1:16位时钟/计数器 ◆TMR2:8位时钟 ◆两组【捕捉/比较/PWM】模组 ◆一组【增强SPI】模组。 ◆A/D转换模组: -5输入,共享一个A/D转换器 -8位转换结果 ◆11个中断源: -外部INT脚位、TMR0、TMR1、TMR2时钟 -A/D转换、Port B电平变化中断 -CCP1,2、SCM、USAR、USAT ◆自振式看门狗定时器(WDT) ◆22个可独立直接控制I/O脚位 3. IC特色 ◆FLASH型式的ROM,可多次修改应用。 ◆EEPROM拥有256*8BIT,对於资料的存取,有 更多有效的运用。 ◆3种型态的TIMER,可配合客户多种时序应用。 ◆增强SPI,串列应用时,可配合多种时序。 ◆二组CCP,可应付PWM*2时的应用,特别是需要蜂鸣器的应用时。 ◆5输入的A/D转换,让类比的信号,更容易让IC处理,尤其是交流电的侦测。 4. 应用 应用范围主要为【系统级控制】、【PC相连控制】、【多模组相连控制】、【多PIN之应用】,尤其是UPS或是AVR等等设备。